Photolumine相关论文
Hydrothermal Synthesis, Structure and Property of Transition Metal(Mn, Zn, Cd or Pb) Coordination Fr
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
Silicon carbide nanotubes with special morphology prepared by super critical hvdrothermal method and
Silicon carbide nanotubes (SiCNTs) with special morphology synthesized by supercritical hydrothermal method at 470 ℃ an......
Ca2 Al2 SiO7属于斜长石类的钙铝硅酸盐矿物，和一般的氧化物发光材料基质相比，该种硅酸盐是一种稳定性更好、性能更优良的基质材料。......
用可逆加成锻炼链转移(RAFT)聚合方法合成了两亲性聚(N-苯基马来酰亚胺)-b-聚(4-乙烯基吡啶)-Cd2(PNPV-Cd2)高分子配合物.Cd2离子......
在Si(111)衬底上热氧化射频磁控溅射金属锌并经退火处理后,成功制备出ZnO纳米棒.用XRD,SEM和TEM对样品的晶体结构、表面形貌进行了......
通过器件模拟对n—In1-xGaxN／p—Si异质结的光伏特性进行了研究，并与c—si同质结薄膜电池的性能作了比较。研究表明：在AM1．5的光照条件......
采用脉冲激光沉积法（PLD）在Si02衬底上成功制备了具有C轴择优生长特性的Zn1-xCoxO（x=0．05、0．1、0．2、0．3）系列薄膜。通过X射线衍射和能谱......
利用碳纳米管通过碳热法合成了氧化镓纳米线、纳米带和纳米片。采用扫描电镜和透射电镜对其进行了形态和结构表征。合成的氧化镓纳......
采用柠檬酸络合溶胶-凝胶法合成ZnGa2O4：Cr^3＋红色荧光粉，在空气气氛中1000℃煅烧得到ZnGa2O4单相．对粉体进行X射线光电子能谱（XPS）和电......
室温下在3.45 eV的激光激发下,对950 ℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中,观测到5 个高强度的可见荧光的发射.其峰位位置分别为2......
采用热蒸发锌（Zn）粉的方法在不同的氩气流量下制备了大量的四角锥状ZnO纳米材料。用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和光致发......
研究了不同生长温度下制备的In0.15Ga0.85As／GaAs应变量子阱的PL谱，结果表明，生长温度越高，In偏析和In-Ga互混越严重，同时，导致更多的In......
采用热蒸发法在ZnO缓冲层覆盖着Si衬底上合成了2D叶状的Zn晶枝结构，Zn的晶枝长度约为几十微米，厚度约为200nm，随后Zn晶枝在O2的气氛下......
首先以CdCl2·2.5H2O、SeO2和NaBH4为反应物,制备巯基丁二酸稳定的CdSe量子点.然后将有机膨润土与CdSe量子点溶液混合并充分搅......
采用原位化学氧化聚合的方法制备了一系列不同纳米TiO2含量的PANI／TiO2纳米复合材料，利用FI-IR、TG、XRD、TEM、SEM等方法对产物进行......
用二次阳极氧化法制备了高质量的氧化铝模板，用磁控溅射法在氧化铝模板上溅射生长了非晶SiC材料．原子力显微镜结果显示，在不同的溅射......
采用热蒸发锌（Zn）粉方法制备出大量均匀的纳米ZnO多角锥状结构,用扫描电子显微镜（SEM）、拉曼光谱（Raman Spectra）和光致发光谱（PL）对样品进......
通过器件模拟对n—In1-x Gax N／p—Si异质结的光伏特性进行了研究，并与c—Si同质结薄膜电池的性能作了比较。在AM1．5的光照条件下，n—I......
以稀土、钒的氯化物为原料, 以氨水、双氧水和磷酸氢二铵溶液作复合沉淀剂, 采用共沉淀工艺合成了YP1-xVxO4∶RE3+ (RE=Sm, Eu, Dy......
采用静电纺丝技术合成了Eu（BA）3phen/PVP复合纳米带,用扫描电镜,红外光谱,紫外-可见吸收光谱和荧光光谱对样品进行了表征。扫描电镜......
